Una capa de un átomo que ahorrará batería y multiplicará la velocidad

Un equipo liderado por la Universidad de Utah y el profesor asociado Ashutosh Tiwari dice haber descubierto un nuevo tipo de material semiconductor de dos dimensiones para implementar transistores.

Este material (SnO) abre la puerta a sistemas mucho más rápidos y eficientes. Se trata de un material de un sólo átomo de ancho que permite que las cargas se muevan a través mucho más rápido que los materiales 3D convencionales.

La ventaja de este material 2D es que sólo está hecho por una capa de grosor que hace que los electrones se muevan mucho más rápido que en un material 3D al haber menos fricción y material para conducir.

Esto hará que se requiera mucha menos potencia para alimentar los sistemas.

Tiwari asegura que podría ser un gran avance para aparatos médicos como por ejemplo implantes electrónicos y que podrán durar más con una sola carga de batería.

Tiwari asegura también haber desarrollado tanto semiconductores 2D de tipo P y de tipo N, y que, por tanto, el campo de investigación y la implantación en nuevos diseños será mucho más rápido y de hecho prevé poder tener un prototipo en dos años.